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陈斗南图谱-自然科学领域：

相关人员

郑学仁 李斌 杨春辉 黄仑 杨炳良 刘百勇 王曦 郑耀宗

研究领域

氮化氧化物 硅平面工艺 碰撞电离 封装效应 再结晶 扩展电阻 正温度系数 击穿特性

所属机构

华南师大 华南理工大学 华南理工大学应用物理系 香港城市大学电子工程系

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