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谭长华图谱-自然科学领域：

相关人员

张贺秋 刘艳红 许铭真 魏希文

研究领域

界面陷阱密度 少数载流子 数值解MOS结构 高电场应力 时变效应 MOSFET 比例差分

所属机构

大连理工大学物理系 北京大学微电子研究所 北京大学微电子研究院

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