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王敬义图谱-自然科学领域:
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研究领域
硅粉粒
淀积速率
a-Si薄膜
薄膜生长
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淀积理论模型
非晶硅薄膜
APCVD
粉粒表面刻蚀
粉体刻蚀
靶中毒
鞘区离子动能
分布函数
太阳能级硅
等离子体
常压CVD
离子刻蚀
刻蚀速率
阴极鞘层
等离子体鞘层
宏观粒子
化学气相淀积
纯化模型
沉降时间
统一模型
热扩散
刻蚀与纯化
非晶硅
粉粒沉降
工艺参数
所属机构
湖北武汉
华中科技大学电子科学与技术系
广西工学院电子信息与控制工程系
广西柳州
华中科技大学网络与计算中心
华中科技大学电子科学技术系
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