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数学模型
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受主缺陷
HFET
定标
场效应晶体管
有耗匹配
饱和源漏电流
设计考虑
优化
MESFET开关
产品参数系列
建模
硫钝化
宽带
相对经济损益
MMIC
所属机构
河北石家庄
河北半导体研究所
河北工业大学信息工程学院
中国电子科技集团公司第十三研究所
河北工业大学微电子技术与材料研究所
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